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采用新的 V-NAND 技术以及新推出的自研控制器,随机读写速度得到巨大提升。随机读写速度分别为1400K/1550KIOPS,比980 PRO快40%和55%;其读取速度高达7450MB/s,写入读速也达到了6900MB/s,接近PCIe 4.0的理论数值。相较于980 Pro,990 PRO的耗电量较少,每瓦的性能比980 PRO高出50%,低功耗高性能。990 PRO采用镀镍涂层以提高控制器的散热效率,同时使用散热标签实现对NAND芯片的有效散热控制。
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